|
|
|
|
| LEADER |
00919nam a2200157 a 4500 |
| 001 |
583557 |
| 005 |
20171111230042.0 |
| 008 |
110321u--------gr gr 000 0 Gre d |
| 040 |
|
|
|a GR-AtNTU
|b gre
|
| 100 |
1 |
|
|a Αναστασιάδης, Ιωάννης
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Ακτινοβόληση με δέσμη πρωτονίων 1.5 & 6.5 MeV εμφυτεμένων MOS πυκνωτών με νανοσωματίδια Si+ /
|c Αναστασιάδης Ιωάννης ; ; επιβλέπων: Δ. Τσουκαλάς
|
| 500 |
|
|
|a Διατίθεται και σε ηλεκρτονική μορφή [cd-rom].
|
| 700 |
1 |
|
|a Τσουκαλάς, Δημήτριος
|
| 710 |
0 |
|
|a Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο.
|b Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών.
|
| 710 |
0 |
|
|b Τομέας Φυσικής
|
| 952 |
|
|
|a GR-AtNTU
|b 59cc13ec6c5ad13446f66c67
|c 998a
|d 945l
|e -
|t 2
|x m
|z Books
|
